[대학저널 임지연 기자] 경북대학교 전자공학부 김대현(사진) 교수팀이 차세대 반도체 물질인 고전자이동도 인듐갈륨비소 기반의 다중가교채널 트랜지스터(MBCFET) 전자소자를 세계 최초로 개발했다.
20일 경북대에 따르면 김 교수팀은 반도체 제조 중견기업인 큐에스아이및 한국나노기술원 연구진과 공동 연구로 반도체 에피, 공정·집적화 등의 모든 과정을 순수 국내 기술로 인듐갈륨비소 기반의 다중가교채널 트랜지스터를 개발했다.
김 교수는 “실리콘 기반 반도체 소자 집적 공정은 지속적으로 미세화되고는 있지만 데이터 처리 수요를 충족하기 위해서는 공정의 미세화와 더불어 소자의 3차원 집적화와 고성능 고효율 화합물 반도체 신소재 도입 등의 혁신적인 해결책이 필수적”이라고 설명했다.
김 교수는 이어 “이번 연구는 새로운 구조와 신소재를 도입한 다중가교채널 트랜지스터 소자가 충분히 경쟁력 있는 성능을 가지고 있음을 입증했다"면서 "관련 화합물 반도체 일괄 공정을 100% 국내 순수 기술로 달성했다는 점에서 큰 의미가 있다”고 강조했다.
한편 이번 연구는 삼성미래기술육성재단과 삼성전자에서 지원하는 삼성미래기술육성사업 지원을 받아 진행됐다.
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