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권오준 씨는 ‘Frequency-Responsive Charge Dynamics via Competing Ferroelectric and Trap-Assisted Switching in Al2O3/HfO2 Engineered IGZO Synaptic Transistors’라는 주제로 나노정보전자 분과에서 연구 결과를 발표했다.
발표 내용은 매립형 게이트 구조의 IGZO 기반 트랜지스터에 Al2O3/HfO2 유전체 적층 구조를 도입해, 강유전 분극과 트랩 전하가 동시에 작동하는 듀얼 메커니즘 소자를 개발한 성과를 담고 있다. 실험적 특성 분석과 원자 수준 시뮬레이션을 통해 제안된 동작 메커니즘의 타당성을 입증했다.
특히 이번 연구는 강유전성과 전하 트랩 특성의 경쟁적 상호작용을 활용, 기존 시냅스 소자의 한계를 극복할 수 있는 새로운 설계 전략을 제시했다. 이는 차세대 뉴로모픽 회로 설계 효율성 향상에도 크게 기여할 것으로 평가받고 있다.
한편, 이번 학술대회는 나노기술연구협의회 주최로 ‘AI와 나노기술, 함께 만드는 미래’라는 주제로 열렸으며, 나노기술 관련 6개 분과 발표, 기조강연, 튜토리얼, 정책기획 세션 등 다양한 프로그램을 통해 최신 반도체 기술 연구 성과가 공유됐다.
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